三氧化钨陶瓷的电学性能

在相同工艺条件下,纳米前驱体WO3陶瓷的介电常数要比微米基WO3陶瓷提高一个量级,而空气气氛烧结又可以将其介电常数提高一个量级。多晶WO3陶瓷与其它的压敏电阻(ZnO,Ti02等)一样,它的非线性电学性质也可以用肖特基势垒模型来解释。WO3晶粒由于氧缺位的存在,表现为n型半导体行为。

王豫等经过大量的实验研究认为WO3的非线性电学特性的出现与其常温下两相共存有一定的关系,他们认为相共存会影响晶粒晶格的匹配,使晶粒具有不同的介电响应。在空气气氛下烧结的样品为单斜和三斜两相共存结构,具有非线性的伏安特性曲线,而氢气气氛烧结的样品中只有单斜相结构,其伏安特性为线性,也在一定程度上证明了他们的猜想,常温下的WO3陶瓷的相共存问题导致了其肖特基势垒的产生,从而使WO3陶瓷具有了非线性伏安特性。

三氧化钨

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